STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6
- RS Stock No.:
- 275-1355
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N600K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,559.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,738.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 + | THB51.193 | THB2,559.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 275-1355
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N600K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STP | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 86W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 10.4 mm | |
| Length | 28.9mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STP | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 86W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 10.4 mm | ||
Length 28.9mm | ||
Height 4.6mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics high voltage N-channel power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ultra low gate charge
100 percent avalanche tested
Zener protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N340K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N900K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N240K6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP65N045M9
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP60N043DM9
- IXYS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
