Infineon SPP18P06P-H Type P-Channel MOSFET, -18.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Stock No.:
- 273-7553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP18P06PHXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB314.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB336.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 480 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB62.976 | THB314.88 |
| 10 - 20 | THB55.662 | THB278.31 |
| 25 - 95 | THB54.602 | THB273.01 |
| 100 - 245 | THB44.532 | THB222.66 |
| 250 + | THB44.106 | THB220.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7553
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP18P06PHXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -18.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | SPP18P06P-H | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.13Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.33V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 40mm | |
| Width | 40 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-41-690 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -18.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series SPP18P06P-H | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.13Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Forward Voltage Vf 1.33V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | ||
Height 1.5mm | ||
Length 40mm | ||
Width 40 mm | ||
Distrelec Product Id 304-41-690 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SPP18P06P-H Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPP18P06PHXKSA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD18P06PGBTMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1
