Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET, -4.2 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Stock No.:
- 273-7551
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 50 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB26.40
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB280.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB299.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,200 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 40 | THB28.02 | THB280.20 | - |
| 50 - 90 | THB27.492 | THB274.92 | THB26.40 |
| 100 - 240 | THB25.685 | THB256.85 | THB233.50 |
| 250 - 990 | THB23.726 | THB237.26 | THB1,073.50 |
| 1000 + | THB23.274 | THB232.74 | THB4,746.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7551
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -4.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | SPD04P10PL G | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 850mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Forward Voltage Vf | 940mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 40mm | |
| Length | 40mm | |
| Standards/Approvals | AEC Q101, RoHS | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -4.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series SPD04P10PL G | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 850mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Forward Voltage Vf 940mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 40mm | ||
Length 40mm | ||
Standards/Approvals AEC Q101, RoHS | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD04P10PLGBTMA1
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD18P06PGBTMA1
- Infineon SPP18P06P-H Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD25DP06NMATMA1
- Infineon SPP18P06P-H Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPP18P06PHXKSA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD40DP06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1
- Infineon ISA Type P 8.4 A 3-Pin PG-TO252-3 ISA220280C03LMDSXTMA1
