Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET, -18.6 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Stock No.:
- 273-2832
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD18P06PGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB234.81
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB251.245
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB46.962 | THB234.81 |
| 50 - 95 | THB41.87 | THB209.35 |
| 100 - 245 | THB32.478 | THB162.39 |
| 250 + | THB31.862 | THB159.31 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2832
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD18P06PGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -18.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Series | SPD18P06P G | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.33V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 80W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 40mm | |
| Standards/Approvals | IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | |
| Width | 40 mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -18.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Series SPD18P06P G | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Forward Voltage Vf 1.33V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 80W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 40mm | ||
Standards/Approvals IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | ||
Width 40 mm | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET is a P channel, enhancement mode MOSFET. It has 175 degree Celsius operating temperature. This MOSFET is qualified according to AEC Q101 standard.
RoHS compliant
Avalanche rated
Pb free lead plating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD18P06PGBTMA1
- Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD04P10PLGBTMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPP18P06P-H Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1