Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, -16.4 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Stock No.:
- 273-3012
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD900P06NMATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB278.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB297.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,420 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB27.839 | THB278.39 |
| 50 - 90 | THB23.557 | THB235.57 |
| 100 - 240 | THB21.83 | THB218.30 |
| 250 - 990 | THB21.415 | THB214.15 |
| 1000 + | THB21.00 | THB210.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3012
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD900P06NMATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -16.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 63W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | -27nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -16.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 63W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs -27nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in mediu
Easy interface to MCU
Fast switching
Avalanche ruggedness
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD25DP06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD40DP06NMATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3