Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET, -4.2 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD04P10PLGBTMA1
- RS Stock No.:
- 273-7550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB31,185.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB33,367.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB12.474 | THB31,185.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -4.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SPD04P10PL G | |
| Package Type | PG-TO252-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 850mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.94V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC Q101, RoHS | |
| Width | 40 mm | |
| Length | 40mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -4.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SPD04P10PL G | ||
Package Type PG-TO252-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 850mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.94V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC Q101, RoHS | ||
Width 40 mm | ||
Length 40mm | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET is a P channel power MOSFET. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics. It is a qualified according to AEC Q101.
Logic level
RoHS compliant
Enhancement mode
Pb free lead plating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SPD04P10PL G Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPD18P06P G Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 SPD18P06PGBTMA1
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon SPP18P06P-H Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD900P06NMATMA1
