Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 160 A, 75 V DirectFET
- RS Stock No.:
- 273-5220
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7759L2TR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB294.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB314.97
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 58 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB294.36 |
| 50 - 99 | THB244.98 |
| 100 - 499 | THB226.10 |
| 500 - 1999 | THB210.12 |
| 2000 + | THB205.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5220
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7759L2TR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 160A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | DirectFET | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 160A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type DirectFET | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
The Infineon Power MOSFET is designed for applications where efficiency and power density are essential. The advanced DirectFET packaging platform coupled with the latest silicon technology allows it to offer substantial system level savings and performance improvement specifically in motor drive, high frequency DC to DC and other heavy load applications on ICE, HEV and EV platforms. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance and low Qg per silicon area. Additional features of this MOSFET are high repetitive peak current capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for high current automotive applications.
RoHS compliant
Dual sided cooling
High power density
Automotive qualified
Low parasitic parameters
Lead free and halogen free
Advanced process technology
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V DirectFET AUIRF7759L2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V DirectFET IRF9383MTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET IRF7480MTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V DirectFET IRF7769L1TRPBF