Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 160 A, 75 V DirectFET AUIRF7759L2TR
- RS Stock No.:
- 273-5218
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7759L2TR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB743,660.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB795,716.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 + | THB185.915 | THB743,660.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5218
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7759L2TR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 160A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | DirectFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 160A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type DirectFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
The Infineon Power MOSFET is designed for applications where efficiency and power density are essential. The advanced DirectFET packaging platform coupled with the latest silicon technology allows it to offer substantial system level savings and performance improvement specifically in motor drive, high frequency DC to DC and other heavy load applications on ICE, HEV and EV platforms. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance and low Qg per silicon area. Additional features of this MOSFET are high repetitive peak current capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for high current automotive applications.
RoHS compliant
Dual sided cooling
High power density
Automotive qualified
Low parasitic parameters
Lead free and halogen free
Advanced process technology
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V DirectFET
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V DirectFET
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V DirectFET IRF9383MTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
