Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 217 A, 40 V DirectFET IRF7480MTRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9314
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7480MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB109.83
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB117.518
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,764 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB54.915 | THB109.83 |
| 50 - 98 | THB53.265 | THB106.53 |
| 100 - 498 | THB51.135 | THB102.27 |
| 500 - 1998 | THB48.58 | THB97.16 |
| 2000 + | THB45.665 | THB91.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9314
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7480MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 217A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | DirectFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 123nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 217A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type DirectFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 123nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 40V single n channel strong IRFET power mosfet in a direct FET ME package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Dual side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package
100 percent lead free (No ROHS exemption)
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Product qualification according to JEDEC standard
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET IRL7472L1TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V DirectFET AUIRF7759L2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V DirectFET IRF7769L1TRPBF
