Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 217 A, 40 V DirectFET IRF7480MTRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB109.83

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB117.518

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,764 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB54.915THB109.83
50 - 98THB53.265THB106.53
100 - 498THB51.135THB102.27
500 - 1998THB48.58THB97.16
2000 +THB45.665THB91.33

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-9314
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7480MTRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

217A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

HEXFET

Package Type

DirectFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

123nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 40V single n channel strong IRFET power mosfet in a direct FET ME package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.

Dual side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package

100 percent lead free (No ROHS exemption)

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Product qualification according to JEDEC standard

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง