Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -160 A, -30 V DirectFET IRF9383MTRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9333
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9383MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB186.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB199.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 4,774 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB93.24 | THB186.48 |
| 50 - 98 | THB82.79 | THB165.58 |
| 100 - 498 | THB67.845 | THB135.69 |
| 500 - 1998 | THB55.945 | THB111.89 |
| 2000 + | THB47.74 | THB95.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9333
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9383MTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -160A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | DirectFET | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.8mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 67nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 113W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -160A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type DirectFET | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 113W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the -30V single p channel strong IRFET power mosfet in a direct FET mx package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
High current rating
Dual side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package
100 percent lead free (No RoHS exemption)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V DirectFET AUIRF7759L2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR8743TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRLU8743PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-263
