Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET, 23 A, 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R022S7XTMA1
- RS Stock No.:
- 273-2795
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT60R022S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB580,446.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB621,078.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB290.223 | THB580,446.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2795
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT60R022S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 0.82V | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 390W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 0.82V | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 390W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a 600V CoolMOS SJ S7 power device. It enables the best price performance for low frequency switching applications. The CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for static switching and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.
Total Pb free
RoHS compliant
Faster switching times
Easy visual inspection leads
Minimized conduction losses
More compact and easier design
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R016CM8XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T022S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R037CM8XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT020N13NM6ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R045CFD7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT067N20NM6ATMA1