Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T022S7XTMA1
- RS Stock No.:
- 349-260
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT60T022S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB522.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB558.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB522.02 |
| 10 - 99 | THB470.07 |
| 100 + | THB433.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-260
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT60T022S7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 390W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, JS-001, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 390W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, JS-001, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for an HV SJ MOSFET, with a distinctive increase in energy efficiency. The embedded Temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while keeping an easy and seamless implementation. CoolMOS S7 is optimized for static switching and high current applications. It is an ideal fit for solid-state relay, circuit breaker designs, and line rectification in SMPS and inverter topologies. The new temperature sensor enhances S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.
CoolMOS S7 technology enables lowest RDS(on) in the smallest footprint
Optimized price performance in low frequency switching applications
High pulse current capability
Seamless diagnostics at the lowest system
Temperature sense feature for protection and optimized thermal device utilization
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R022S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT029N08N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT014N08NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T040S7XTMA1