Infineon OptiMOS-T2 N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4 BSC076N04NDATMA1
- RS Stock No.:
- 273-2627
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC076N04NDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB192,660.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB206,145.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 + | THB38.532 | THB192,660.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2627
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC076N04NDATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TDSON-8-4 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TDSON-8-4 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Power MOSFET is a N channel 40 V power MOSFET. This MOSFET optimized for drives applications and it is 100 percent avalanche tested. It is qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47 20 2.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Fast switching MOSFETs
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON-8-4 BSC076N04NDATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS -T2 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L02ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD25N06S4L30ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S4L03ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N10S4L06ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S403ATMA1