Vishay SQS Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 268-8373
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS460CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB227.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB243.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,840 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB22.76 | THB227.60 |
| 50 - 90 | THB22.077 | THB220.77 |
| 100 - 240 | THB21.193 | THB211.93 |
| 250 - 990 | THB20.135 | THB201.35 |
| 1000 + | THB18.927 | THB189.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8373
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQS460CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SQS | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8W | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.059Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 27W | |
| Forward Voltage Vf | 0.845V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SQS | ||
Package Type PowerPAK 1212-8W | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.059Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 27W | ||
Forward Voltage Vf 0.845V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay automotive dual N channel TrenchFET power MOSFET is lead Pb and halogen free device. That is single configuration MOSFET and It is independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS460CENW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQSA82CENW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8SLW SQS120ELNW-T1_GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQS405CENW-T1_GE3
- Vishay SQS Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8SLW SQS181ELNW-T1_GE3
- Vishay SQS484CENW Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212