Vishay SQSA70CENW Type N-Channel MOSFET, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8W SQSA70CENW-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 228-2972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB325.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB348.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,990 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB32.525 | THB325.25 |
| 50 - 90 | THB31.712 | THB317.12 |
| 100 - 240 | THB30.92 | THB309.20 |
| 250 - 990 | THB30.147 | THB301.47 |
| 1000 + | THB29.393 | THB293.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8W | |
| Series | SQSA70CENW | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 68.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 3.3mm | |
| Height | 3.3mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8W | ||
Series SQSA70CENW | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 68.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 3.3mm | ||
Height 3.3mm | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Vishay SQSA70CENW Series MOSFET, 150V Maximum Drain Source Voltage, 18A Maximum Continuous Drain Current - SQSA70CENW-T1_GE3
This MOSFET is a high-voltage, N-channel power device designed for PCB mounting in demanding automotive and industrial control environments. It supports switching and load-control roles where elevated drain-source voltage capability and modest gate charge are required, and is built to meet automotive stress expectations and surface-mount assembly needs.
Features and Benefits:
• 150V drain-source rating enables high-voltage switching capacity • 18A continuous drain current supports substantial load handling • 68.5mΩ Rds(on) minimises conduction losses during operation • 8nC typical gate charge reduces switching energy and drive requirements • 62.5W power dissipation allows for significant thermal loading • 175°C maximum operating temperature permits elevated ambient use
Applications
• Suitable for automotive power distribution modules requiring AEC‑Q101 qualification • Ideal for DC-DC converters in industrial automation systems • Used for motor-control switching in Compact electronics assemblies • Can be used for battery management and power-path control circuits
What mounting method is required for integration?
It is supplied for PCB mounting as a surface-mount PowerPAK 1212-8W package to facilitate Compact board layouts and automated placement.
What gate-voltage limits should be observed during drive design?
The device must not be exposed to gate-source voltages beyond 20V to avoid overstress of the gate dielectric.
How does thermal capability affect cooling requirements?
With 62.5W maximum power dissipation and an elevated 175°C operating ceiling, board- and heatsinking strategies should be sized to keep junction temperatures within safe margins for continuous operation.
What environmental temperature range can it tolerate?
It operates across a wide span from -55°C up to 175°C, allowing use in both cold-start and high-heat scenarios.
Which characteristic helps reduce switching losses?
The combination of an 8nC gate charge and low on-resistance contributes to lower switching and conduction losses in high-frequency applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQSA12CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS486CENW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS414CENW-T1_GE3
- Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
