Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB295.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB316.58

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB29.587THB295.87
50 - 90THB28.99THB289.90
100 - 240THB23.073THB230.73
250 - 990THB22.605THB226.05
1000 +THB15.027THB150.27

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
268-8366
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJ186ELP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SQJ

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mount Type

PCB

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.032Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

135W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

4.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and that has independent of operating temperature.

AEC Q101 qualified

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง