Vishay Single SQJ 1 Type P-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L

RS Stock No.:: 180-7403
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ457EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single SQJ 1 Type P-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB63,195.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB67,620.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB21.065	THB63,195.00
6000 - 9000	THB20.607	THB61,821.00
12000 +	THB20.149	THB60,447.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7403
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ457EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PowerPAK SO-8L
	Series	SQJ
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.025Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Single
	Width	5.13 mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Length	6.15mm
	Height	1.14mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PowerPAK SO-8L
	Series SQJ
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.025Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Single
	Width 5.13 mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Length 6.15mm
	Height 1.14mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 6.7mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 375W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switches

• DC/DC primary switches

• Load switches

• Power management

Certifications

• AEC-Q101 qualified

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested