Vishay Type N-Channel MOSFET, 243 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Stock No.:
- 252-0303
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ154EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB83,082.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB88,899.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | THB27.694 | THB83,082.00 |
| 9000 + | THB25.756 | THB77,268.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-0303
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ154EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 243A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0025mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 243A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0025mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Length 6.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ154EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ160EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ170ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA26EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ140ELP-T1_GE3