Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -128 A, -80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ181ELP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 735-269
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ181ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB78.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB83.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB78.22 |
| 10 - 24 | THB50.99 |
| 25 - 99 | THB26.73 |
| 100 - 499 | THB26.24 |
| 500 + | THB25.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-269
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ181ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -128A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -80V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0283Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 468W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 4.9 mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -128A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -80V | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0283Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 468W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 4.9 mm | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ181EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ161EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -80 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA437CEJW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK (8x8LR) SQJQ141ELR-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70W-6L SQA489CEJW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ742ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ742EP-T1_GE3
