STMicroelectronics G-HEMT MOSFET, 15 A, 750 V Enhancement, 4-Pin Reel SGT120R65AL
- RS Stock No.:
- 265-1035
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SGT120R65AL
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB395.81
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB423.516
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB197.905 | THB395.81 |
| 50 - 98 | THB177.95 | THB355.90 |
| 100 - 248 | THB174.43 | THB348.86 |
| 250 - 998 | THB170.91 | THB341.82 |
| 1000 + | THB167.385 | THB334.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-1035
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SGT120R65AL
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Package Type | Reel | |
| Series | G-HEMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Package Type Reel | ||
Series G-HEMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics e-mode PowerGaN transistor is combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics G-HEMT MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin Reel
- STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT080R70ILB
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R016M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA75R016M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZA75R060M1HXKSA1
