Microchip Type N-Channel MOSFET, 3 A Enhancement, 3-Pin TO-92

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 1000 ชิ้น)*

THB28,867.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,888.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถุง*
1000 - 1000THB28.867THB28,867.00
2000 - 3000THB28.24THB28,240.00
4000 +THB27.612THB27,612.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
177-9694
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TP0606N3-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Package Type

TO-92

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold - 2.0V max.

High input impedance

Low input capacitance - 100pF typical

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง