Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI1310NPBF
- RS Stock No.:
- 262-6752
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-34-458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFI1310NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB395.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB423.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 3,650 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB79.17 | THB395.85 |
| 50 - 95 | THB61.566 | THB307.83 |
| 100 - 245 | THB55.456 | THB277.28 |
| 250 - 995 | THB54.38 | THB271.90 |
| 1000 + | THB50.428 | THB252.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 262-6752
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-34-458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFI1310NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.036Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.036Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has 4.8mm sink to lead creep age distance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fully avalanche rated
High voltage isolation 2.5KVRMS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4620TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement TO-263 IRFS4620TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF8788TRPBF
- Infineon IAUC N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC24N10S5L300ATMA1
- Nexperia PXN N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin MLPAK PXN028-100QLJ
- ROHM Nch+Nch HP8K 2 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KE7TB1
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
