Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF8788TRPBF

RS Stock No.:: 130-0967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF8788TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF8788TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB283.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB303.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

6,310 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 990	THB28.32	THB283.20
1000 - 1990	THB27.611	THB276.11
2000 +	THB27.189	THB271.89

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 130-0967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF8788TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	44nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Width 4mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF8788TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง