Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 541-2470
Distrelec หมายเลขบทความ:: 303-41-337
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFI540NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB55.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB59.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

16 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 1,195 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB55.76
13 - 64	THB54.64
65 +	THB44.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 541-2470
Distrelec หมายเลขบทความ:: 303-41-337
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFI540NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	52mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	94nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	54W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.63mm
	Standards/Approvals	No
	Height	8.9mm
	Width	4.83 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101
	Distrelec Product Id	30341337

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 54W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.63mm
	Standards/Approvals No
	Height 8.9mm
	Width 4.83 mm
	Automotive Standard AEC-Q101
	Distrelec Product Id 30341337

Infineon HEXFET Series MOSFET, 20A Maximum Continuous Drain Current, 54W Maximum Power Dissipation - IRFI540NPBF

This MOSFET is developed for high-performance applications in the electronics industry, playing a crucial role in power management and providing a dependable solution for switching and amplifying electronic signals. It can manage significant voltage and current loads, ensuring efficiency in modern electronic devices.

Features & Benefits

• Continuous drain current rating up to 20A

• Voltage rating of 100V for durable performance

• Low gate threshold voltage enhances switching efficiency

• High power dissipation capability of up to 54W for durability

• N-channel enhancement mode design for a variety of applications

• Low drain-source resistance of 52 mΩ minimises energy loss

Applications

• Used in power supplies for electronic circuits

• Applicable in automotive power management systems

• Utilised in motor control systems for increased efficiency

• Important for power conversion in renewable energy systems

• Employed in automated machinery for effective control processes

What is the maximum continuous current rating for this device?

The device supports a maximum continuous drain current of 20A, accommodating various applications.

How does the gate threshold voltage affect performance?

The gate threshold voltage ranges from 2V to 4V, facilitating efficient switching at lower control voltages and enhancing performance.

Can this device operate in high-temperature environments?

Yes, it can function at temperatures reaching +175°C, ensuring performance in challenging conditions.

Is there a specific mounting type recommended for optimal performance?

It is suited for through-hole mounting, allowing secure connections and effective thermal management in different applications.

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.