Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4620TRLPBF

RS Stock No.:: 915-5023
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR4620TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4620TRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB812.25

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB432.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB463.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

60 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
10 - 740	THB43.28	THB432.80	-
750 - 1490	THB42.197	THB421.97	THB812.25
1500 +	THB41.548	THB415.48	THB2,598.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 915-5023
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR4620TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	78mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	144W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.39mm
	Standards/Approvals	No
	Width	7.49mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 78mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 144W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.39mm
	Standards/Approvals No
	Width 7.49mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 200V Maximum Drain Source Voltage, 24A Maximum Continuous Drain Current - IRFR4620TRLPBF

This n-channel enhancement-mode MOSFET is a surface-mount power transistor designed for switching and power-conversion roles in electronic systems. It operates across a wide temperature span, making it suitable for demanding thermal environments, and provides high-voltage switching capability for applications requiring robust drain-source performance.

Features and Benefits:

• 200V rating enables high-voltage switching capability
• 24A continuous drain current supports substantial load currents
• 78mΩ Rds(on) delivers low conduction losses
• 25nC typical gate charge allows fast gate switching
• 144W maximum power dissipation handles significant thermal load

Applications

• Suitable for high-voltage DC-DC converters in power supplies
• Ideal for motor-drive switching stages in industrial systems
• Used with battery-management circuits requiring 200V tolerance
• Can be used for synchronous rectification in power modules

What gate-drive considerations are required for rapid switching?

Use a driver capable of sourcing and sinking currents to charge the gate within the typical 25nC total gate charge budget to balance switching speed and minimised transition losses.

How does thermal management affect continuous operation at high currents?

To sustain the 24A continuous current and up to 144W dissipation, ensure adequate PCB copper area or heat-sinking and maintain junction temperatures within the specified operating range.

What are the limits for gate and drain voltages to avoid damage?

Keep gate-to-source voltage within ±20V and ensure drain-to-source never exceeds the 200V maximum rating under all operating conditions.

How does the device behave in cold and hot environments?

It is specified to function from -55°C up to 175°C, so design margins should account for parameter shifts such as on-resistance variation over that temperature span.