Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 273-2806
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7351TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB209.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB224.045
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 25 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB41.878 | THB209.39 |
| 50 - 95 | THB38.15 | THB190.75 |
| 100 - 495 | THB34.97 | THB174.85 |
| 500 - 1995 | THB29.928 | THB149.64 |
| 2000 + | THB29.382 | THB146.91 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2806
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7351TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Infineon MOSFET is a 60V N Channel HEXFET Power MOSFET. This MOSFET is used for low power motor drive systems and for isolated DC to DC converters.
Ultra low gate impedance
20V VGS maximum gate rating
Fully characterized avalanche voltage and current
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7351TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
