Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7351TRPBF

RS Stock No.:: 273-2806
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7351TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7351TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB247.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB264.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB49.476	THB247.38
50 - 95	THB45.072	THB225.36
100 - 495	THB41.316	THB206.58
500 - 1995	THB35.36	THB176.80
2000 +	THB34.714	THB173.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 273-2806
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7351TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	17.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 17.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

COO (Country of Origin):: PH

Infineon HEXFET Series MOSFET, 60V Maximum Drain-Source Voltage, 8A Maximum Continuous Drain Current - IRF7351TRPBF

This MOSFET is an N-channel enhancement device designed for surface-mounted power switching and control in Compact assemblies. It operates across an extended temperature range suitable for harsh environments and is supplied in an SO-8 package for automated assembly processes.

Features and Benefits:

• 17.8mΩ Rds(on) reduces conduction losses for high-current switching
• 60V Vds permits operation in moderate-voltage power stages
• 8A Id supports substantial continuous current delivery
• 36nC Qg improves switching control for drive-circuit design
• 2W Pd limits thermal stress in constrained PCB layouts

Applications

• Suitable for high-current SMD power stages
• Ideal for automotive electronics operating extremes
• Used with Compact motor-driver modules
• Can be used for DC-DC converter output stages
• Suitable for surface-mounted load-switch implementations

What gate voltage limitations should be observed?

The gate must not exceed 20V relative to source to prevent damage.

How does thermal range affect deployment choices?

The device functions from -55°C to 150°C allowing use in extended-temperature environments.

What mounting method is required for this component?

It is intended for surface mounting in an SO-8 footprint for automated soldering.

What channel conduction mode is implemented?

The transistor operates in enhancement mode with N-type channel conduction.