Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 273-3002
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD048N06L3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB283.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB303.59
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,045 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB56.746 | THB283.73 |
| 50 - 95 | THB43.636 | THB218.18 |
| 100 - 245 | THB40.454 | THB202.27 |
| 250 - 995 | THB39.704 | THB198.52 |
| 1000 + | THB38.956 | THB194.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3002
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD048N06L3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 6.223mm | |
| Width | 6.731 mm | |
| Length | 10.48mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 6.223mm | ||
Width 6.731 mm | ||
Length 10.48mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD048N06L3GATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S405ATMA2
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N10S406ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S4L04ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252