STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 12 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 261-5526
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD80N340K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB240,827.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB257,685.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB96.331 | THB240,827.50 |
| 5000 - 5000 | THB86.698 | THB216,745.00 |
| 7500 + | THB78.028 | THB195,070.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 261-5526
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD80N340K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 340mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 340mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET on super junction technology. Features best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD80N340K6
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP13N80K5
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD5N80K5
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD15N60DM6
- STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N340K6