STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 12 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N340K6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB530.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB567.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 476 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB265.26THB530.52
10 - 18THB252.00THB504.00
20 - 28THB239.20THB478.40
30 - 38THB227.315THB454.63
40 +THB215.875THB431.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
269-5164
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STP80N340K6
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

STP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

340mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

115W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.6mm

Width

10.4 mm

Length

28.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is a very high voltage is designed using the ultimate MDmesh K6 technology result in the best class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Ultra low gate charge

100 percent avalanche tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง