STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V Enhancement Tape & Reel
- RS Stock No.:
- 261-5044
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD80N450K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 261-5044
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD80N450K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 380mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 380mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics high voltage N-channel power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Worldwide best RDS(on) x area
Worldwide best FOM (figure of merit)
Ultra low gate charge
100 percentage avalanche tested
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement Tape & Reel STD80N450K6
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel SCT040HU65G3AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Tape & Reel STH12N120K5-2AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel SCT055HU65G3AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
