Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 202 A, 40 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404
- RS Stock No.:
- 260-5057
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF1404
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB201.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB215.93
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 981 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB201.80 |
| 10 - 24 | THB181.17 |
| 25 - 99 | THB177.42 |
| 100 - 499 | THB148.53 |
| 500 + | THB126.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-5057
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF1404
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 202A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.51mm | |
| Width | 10.67 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 202A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.51mm | ||
Width 10.67 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. This power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Advanced process technology
Ultra low on resistance
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF1404PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 4-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-220