Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 4-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 257-9269
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1104PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,837.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,966.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB36.756 | THB1,837.80 |
| 100 - 450 | THB35.469 | THB1,773.45 |
| 500 - 950 | THB34.228 | THB1,711.40 |
| 1000 - 2950 | THB33.03 | THB1,651.50 |
| 3000 + | THB31.874 | THB1,593.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9269
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1104PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.009Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 93nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.009Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 93nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 40V single n channel power mosfet in a TO 220 package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
High current rating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 4-Pin TO-220 IRF1104PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220