Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 210 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF2204PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB355.93

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB380.845

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 1,025 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB71.186THB355.93
50 - 95THB55.366THB276.83
100 - 245THB49.776THB248.88
250 - 495THB48.814THB244.07
500 +THB45.302THB226.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
262-6722
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF2204PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

210A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Distrelec Product Id

304-41-665

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Dynamic dv/dt rating

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง