Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET, 15 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD15P10PLGBTMA1
- RS Stock No.:
- 258-7790
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 50 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB388.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB382.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB409.31
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | THB76.506 | THB382.53 | - |
| 50 - 95 | THB68.746 | THB343.73 | THB388.00 |
| 100 - 245 | THB55.268 | THB276.34 | THB2,123.80 |
| 250 - 995 | THB54.176 | THB270.88 | THB5,582.50 |
| 1000 + | THB39.068 | THB195.34 | THB37,438.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-7790
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SPD15P10P | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.20Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | -0.96V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SPD15P10P | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.20Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf -0.96V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD15P10PLGBTMA1
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TSDSON
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TSDSON SPD15P10PGBTMA1
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD04P10PGBTMA1
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ15P04M3
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF9321TRPBF
