Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD04P10PGBTMA1
- RS Stock No.:
- 258-4034
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD04P10PGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB151.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB161.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 2,490 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB30.202 | THB151.01 |
| 10 - 95 | THB26.554 | THB132.77 |
| 100 - 245 | THB20.388 | THB101.94 |
| 250 - 495 | THB20.326 | THB101.63 |
| 500 + | THB15.86 | THB79.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-4034
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD04P10PGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SPD15P10P | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -10 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SPD15P10P | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -10 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel power MOSFET is highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Enhancement mode
Avalanche rated
Pb-free lead plating; RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD15P10PLGBTMA1
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TSDSON
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TSDSON SPD15P10PGBTMA1
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9510PBF
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD19DP10NMATMA1
