Toshiba Type P-Channel MOSFET, 15 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 171-2412
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TJ15P04M3
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB29,660.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,740.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB14.83 | THB29,660.00 |
| 4000 - 6000 | THB14.507 | THB29,014.00 |
| 8000 + | THB14.185 | THB28,370.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2412
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TJ15P04M3
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 48mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 7.18 mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 48mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 7.18 mm | ||
Height 2.3mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- CN
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)
Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.1 mA)
Applications:
Motor Drivers
Power Management Switches
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ15P04M3
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ60S04M3L
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ8S06M3L
- ROHM RD3G01BAT Type P-Channel MOSFET 40 V P, 3-Pin TO-252 RD3G01BATTL1
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD15P10PLGBTMA1