Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET, 15 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 258-7100
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB87,352.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB93,467.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB34.941 | THB87,352.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-7100
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | SPD15P10P | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.20Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -0.96V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series SPD15P10P | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.20Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -0.96V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon SIPMOS power transistor belongs to highly innovative OptiMOS family P channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on state resistance and figure of merit characteristics.
Enhancement mode
Avalanche rated
Pb free lead plating
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD15P10PLGBTMA1
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TSDSON
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TSDSON SPD15P10PGBTMA1
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon SPD15P10P Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD04P10PGBTMA1
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ15P04M3
- ROHM RD3G01BAT Type P-Channel MOSFET 40 V P, 3-Pin TO-252 RD3G01BATTL1