Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9510PBF

RS Stock No.:: 178-0852
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9510PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9510PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB795.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB850.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB15.903	THB795.15
100 - 150	THB15.557	THB777.85
200 +	THB15.212	THB760.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0852
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9510PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	IRF
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	43W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-5.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.7nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.01mm
	Width	4.7 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series IRF
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 43W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -5.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.7nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.01mm
	Width 4.7 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.41mm
	Automotive Standard No

Datasheet

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Simple drive requirements

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9510PBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง