Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 543-0018
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9510PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB36.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB38.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 47 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 358 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 12 | THB36.32 |
| 13 - 64 | THB35.42 |
| 65 + | THB29.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 543-0018
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9510PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IRF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -5.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.7 mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IRF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -5.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.7 mm | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Simple drive requirements
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9510PBF
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9620PBF
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9610PBF
- Vishay IRF Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9520PBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220