Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -13 A, -150 V TO-252
- RS Stock No.:
- 257-9412
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR6215TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB37,204.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB39,808.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 8000 | THB18.602 | THB37,204.00 |
| 10000 + | THB17.195 | THB34,390.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9412
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR6215TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 580mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 580mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFR series is the -150V single p channel IR mosfet in a D Pak package. The IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -150 V TO-252 IRFR6215TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -150 V TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -150 V TO-252 IRFR6215TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-252 IRFR4615TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
