Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 218-3097
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6215STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB32,153.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB34,404.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB40.192 | THB32,153.60 |
| 1600 - 2400 | THB39.318 | THB31,454.40 |
| 3200 + | THB38.444 | THB30,755.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3097
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF6215STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 290mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 290mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series single P-Channel power MOSFET. This MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is suitable for high current applications.
Fast switching
P-channel
175°C Operating Temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263 IRF6215STRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -150 V TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -150 V TO-252 IRFR6215TRLPBF
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF6215STRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET & Diode 20 V Enhancement, 2-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
