Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 483 A, 100 V Enhancement TO-247 IRF100P218AKMA1

RS Stock No.:: 258-3950
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF100P218AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 483 A, 100 V Enhancement TO-247 IRF100P218AKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB4,825.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,163.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 03 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 25	THB193.03	THB4,825.75
50 - 50	THB173.73	THB4,343.25
75 +	THB156.361	THB3,909.03

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3950
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF100P218AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	483A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-247
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.28mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 483A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-247
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.28mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF100P218AKMA1

Infineon HEXFET Series MOSFET, 100V Maximum Drain‑Source Voltage, 483A Maximum Continuous Drain Current - IRF100P218AKMA1

This MOSFET is a high‑current N‑channel semiconductor device intended for power switching and conversion tasks. It operates across a wide temperature range suitable for demanding environments and is supplied in a TO‑247 package for surface mounting. The device uses enhancement‑mode conduction and meets RoHS requirements.

Features and Benefits:

• 1.28mΩ Rds(on) reduces conduction losses under heavy load
• 100V Vds enables medium‑voltage power applications
• 483A continuous current supports high‑current switching
• -55°C to +175°C range permits industrial temperature operation
• 1.2V forward voltage improves diode conduction efficiency

Applications

• Suitable for motor drive power stages
• Ideal for inverter output switching
• Used with high‑current power supply designs
• Can be used for DC-DC converters in industrial systems
• Suitable for high‑current test benches and load banks

What mounting arrangement does it use?

It is supplied in a TO‑247 package designed for surface mounting.

Which conduction type does the device employ?

The transistor is an enhancement‑mode N‑type channel for controlled switching.

Is it compliant with common hazardous‑substance restrictions?

It carries RoHS approval indicating restricted substances are controlled.

What thermal extremes can it tolerate during operation?

The device is specified to function between -55°C and +175°C.

What is the typical forward voltage during body‑diode conduction?

The forward voltage is specified as 1.2V.