Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 280 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-3972
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFH8303TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

280A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

5mm

Length

6mm

Automotive Standard

No

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Increased power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง