Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5301TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-5527
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5301TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ยอดรวมย่อย (4000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 4000)*
THB98,060.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB104,924.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 + | THB24.515 | THB98,060.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5527
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH5301TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.85mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Width | 5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.85mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Width 5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5301TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5302TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
