Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB33,316.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB35,648.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
800 - 800THB41.646THB33,316.80
1600 - 2400THB40.74THB32,592.00
3200 +THB39.835THB31,868.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-4441
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF1404ZSTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche

It is lead-free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง