Infineon HEXFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, -55 V, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 243-9287
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7343QTR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB267,880.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB286,640.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 12,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB66.97 | THB267,880.00 |
| 8000 - 8000 | THB64.644 | THB258,576.00 |
| 12000 + | THB62.319 | THB249,276.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 243-9287
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7343QTR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -55V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | HEXFET | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.11mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -55V | ||
Package Type SOIC | ||
Series HEXFET | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.11mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon AUIRF7343QTR specifically designed for Automotive applications, these HEXFET® Power MOSFET's in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these Automotive qualified HEXFET Power MOSFET's are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Advanced Planar Technology
Ultra Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
Dual N and P Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
150°C Operating Temperature
Lead-Free, RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET 2 Type P 4.7 A 8-Pin SOIC AUIRF7343QTR
- Infineon Dual HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC IRF7105TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC IRF9952TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 6.5 A 8-Pin SOIC
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 7.3 A 8-Pin SOIC