Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Dual N, 8-Pin TDSON

RS Stock No.:: 258-3882
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N10S4L22AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Dual N, 8-Pin TDSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB213,890.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB228,860.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB42.778	THB213,890.00
10000 - 10000	THB41.494	THB207,470.00
15000 +	THB39.835	THB199,175.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-3882
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N10S4L22AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOSTM-T2
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Dual N
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±16 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOSTM-T2
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Dual N
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N10S4L22AATMA1

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is Dual N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Dual N, 8-Pin TDSON

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง