Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode IPG20N06S4L-11 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V TDSON
- RS Stock No.:
- 258-3878
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L11ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB132,000.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB141,250.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB26.40 | THB132,000.00 |
| 10000 - 10000 | THB25.608 | THB128,040.00 |
| 15000 + | THB24.584 | THB122,920.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3878
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L11ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | IPG20N06S4L-11 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Transistor Configuration | Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TDSON | ||
Series IPG20N06S4L-11 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Transistor Configuration Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS T2 power-transistor is dual Super S08 can replace multiple DPAKs for significant PCB area savings and system level cost reduction. Exposed pad provides excellent thermal transfer, two N-Channel MOSFETs in one package with 2 isolated lead frames.
Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode IPG20N06S4L-11 Type N-Channel MOSFET 60 V TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode IPG16N10S4-61 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON