Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 85 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD85P04P4L06ATMA2
- RS Stock No.:
- 229-1834
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB78,517.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB84,012.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB31.407 | THB78,517.50 |
| 5000 - 5000 | THB30.199 | THB75,497.50 |
| 7500 + | THB29.817 | THB74,542.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1834
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.5mm | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon n channel logic level power MOSFET used for automotive applications. It has lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is robust packages with superior quality and reliability.
It is RoHS compliant and AEC qualified
It has 175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD85P04P4L06ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement TO-252 IPD85P04P407ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P405ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70P04P409ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA2
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD19DP10NMATMA1
