Infineon BSZ Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Dual, 8-Pin TSDSON BSZ215CHXTMA1

RS Stock No.:: 258-0720
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ215CHXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BSZ Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 20 V Dual, 8-Pin TSDSON BSZ215CHXTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB172,320.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB184,380.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB34.464	THB172,320.00
10000 - 10000	THB33.43	THB167,150.00
15000 +	THB32.093	THB160,465.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 258-0720
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ215CHXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	BSZ
	Package Type	TSDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	150mΩ
	Channel Mode	Dual
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	700mV
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series BSZ
	Package Type TSDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ
	Channel Mode Dual
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 700mV
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - BSZ215CHXTMA1

Infineon BSZ Series MOSFET, 20V Maximum Drain-Source Voltage, 5.1A Maximum Continuous Drain Current - BSZ215CHXTMA1

This dual-channel MOSFET combines P- and N-channel elements in a Compact surface-mount package for power switching and management tasks. Designed for board-level assembly, it operates across a wide temperature span and is suitable for applications where both polarity channels are required in a single device while adhering to RoHS directives.

Features and Benefits:

• Low drain-source resistance reduces conduction losses
• Dual-channel arrangement enables complementary switching functions
• TSDSON 8-pin surface-mount eases high-density PCB placement
• 0.7V forward voltage minimises gate-drive overhead
• Wide temperature tolerance supports harsh thermal environments

Applications

• Suitable for DC power distribution modules in Compact systems
• Ideal for complementary half-bridge arrangements on single boards
• Used for gate-driver and load-switching in control electronics
• Can be used for thermally stable designs operating in extremes

What is the maximum ambient temperature range it can handle?

It is specified to operate up to a maximum temperature of +175°C.

How does the device support low-loss switching?

The device features a maximum drain-source resistance of 150mΩ which lowers conduction losses during high-current operation.

What pin count and mounting style should designers expect?

The component is provided in an 8-pin TSDSON package configured for surface mounting.

Are both channel polarities available in the same package?

Yes, the component integrates both P-channel and N-channel MOSFETs for complementary circuit designs.

Is the device suited to automotive specification requirements?

It is not designated as an automotive-standard part but is compliant with RoHS environmental restrictions.